LP3669B和LP3669F的区别

LP3669B和LP3669F是LP3669系列中的两款不同型号的电源芯片，它们的主要区别在于支持的最大输出功率和内置功率三极管的参数。以下是两款芯片的具体差异：

功率等级：

LP3669B适用于5.0W的应用。
LP3669F适用于12.0W的应用。

内置功率三极管参数：

LP3669B的C、E极饱和电流（ICESAT）为0.4A。
LP3669F的C、E极饱和电流（ICESAT）为1.2A。

封装类型：

LP3669B采用SOP7_150MIL封装。
LP3669F采用SOP8_150MIL封装。

引脚数：

LP3669B有7个引脚。
LP3669F有8个引脚。

LP3669系列电源芯片工作电路图

LP3669系列是高性能的双绕组原边反馈控制芯片，广泛应用于隔离型适配器和充电器中。以下是LP3669系列电源芯片的基本工作电路图和工作原理的简要说明：

启动：
        芯片仅需1uA的启动电流，系统上电后启动电阻对Vcc的电容进行充电，当Vcc电压达到芯片开启阈值时，芯片内部控制电路开始工作。

恒流控制：

    芯片逐周期检测电感的峰值电流，CS端连接到内部的峰值电流比较器的输入端，与内部阈值电压进行比较，当CS外部电压达到内部检测阈值时，功率管关断。

恒压控制：

    LP3669通过分压电阻采样反激电压，电阻分压后得到的电压与内部基准比较形成闭环后，来恒定输出电压Vo。

保护功能：

    LP3669集成了多种保护功能，包括VCC钳位/欠压保护，输出短路保护，过温保护等。

工作频率：

    LP3669工作于断续模式，系统推荐最大频率为60KHz。

输出线补偿：

    LP3669采用了特有的输出线损补偿技术，可以有效的补偿输出电流在线上的损耗压降。

EMI优化：

    LP3669采用了特有的抖频技术，可以在不增加系统成本的情况下，优化EMI特性。

以上是LP3669电源芯片的基本工作电路图和工作原理的概述。具体的电路设计和应用需要根据实际的应用需求和设计要求来确定。