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在手机、路由器、机顶盒等 5~24 W 适配器市场，“省光耦+省 TL431” 几乎成了 BOM 成本竞赛的入场券。FT8395PB2 把 750 V 高压 MOSFET、原边恒压/恒流（CV/CC）控制、准谐振（QR）+ PFM 抖频 EMI 优化全部塞进 8 个引脚，官方宣称“外围极简”。
实际打样 12 V-200 mA（2.4 W）适配器，外围元件 < 20 颗，效率 > 82 %（230 VAC），待机功耗 < 30 mW，足够覆盖 90~264 V 全电压输入——这就是本文的主角。
| 引脚号 | 名称 | 功能拆解 | 12 V/200 mA 设计要点 |
|---|---|---|---|
| 1 | VCC | 芯片供电 | 10~27 V 启动后由辅助绕组供电，推荐 22 µF/50 V 低 ESR 电解 |
| 2 | GND | 芯片地 | 单点接高压地，走线粗短，远离 FB 采样路径 |
| 3 | FB | 输出电压反馈 | 通过分压电阻检测辅助绕组电压，R1/R2 比例决定 12 V 输出；预留 100 pF 小电容做斜坡补偿 |
| 4 | CS | 原边电流采样 | 0.5 Ω 金属膜电阻，峰值电流限制 ≈ 0.5 V / 0.5 Ω = 1 A，兼顾 200 mA 输出与短路保护 |
| 5~6 | HV | 内部 750 V MOSFET 漏极 | 直接接变压器原边，注意爬电距离 ≥ 6 mm；RCD 吸收回路靠近 HV 引脚 |
| 7~8 | NC/散热焊盘 | 机械固定 | 大面积敷铜散热，底部开窗过孔至内层地 |
小贴士：FT8395PB2 把高压 MOS 集成在 5-6 脚，PCB 布线时务必让 HV 铜箔“短粗直”，否则 EMI 与浪涌测试会哭。
典型功率表如下所示：
| 型号 | 封装 | 90~264 VAC | 30 Vac±15 % |
|---|---|---|---|
| FT8395PB2 | SOP-8 | 24 W | 30 W |
12 V-200 mA 只有 2.4 W，看似“大马拉小车”，但好处多多：
预留 10 倍余量，变压器温升 < 25 K，无需灌胶。
效率曲线在 10 %~100 % 负载几乎平直，轻载待机功耗轻松过 CoC V5 Tier 2。
高压 MOS 导通电阻 5 Ω（典型），2.4 W 输出时导通损耗 < 0.1 W，芯片表面温升 < 30 °C（45 °C 环温，自然对流）。
| 功能 | 推荐值 | 备注 |
|---|---|---|
| 变压器 | EE13/EE16 | 原边 220 µH，辅助 12 V 绕组 11T，漏感 < 5 % |
| RCD 吸收 | R=100 kΩ, C=100 pF/1 kV, D=UF4007 | 钳位电压 < 650 V，保护 HV 引脚 |
| VCC 滤波 | 22 µF/50 V + 100 nF/50 V | 启动后 12 V 辅助绕组供电 |
| 输出整流 | 同步整流 FT8374x（官方推荐） | 效率提升 3~5 %，温升再降 10 °C |
| 输出滤波 | 470 µF/16 V ×2 | 纹波 < 50 mVpp，满足 USB 供电要求 |
| FB 分压 | R1=100 kΩ, R2=7.5 kΩ | 12 V 输出时 FB ≈ 1.25 V（内部基准） |
检查辅助绕组与输出绕组耦合，漏感尖峰导致 FB 采样提前；在辅助绕组并联 5 kΩ 假负载即可。
PFM 抖频模式下，磁芯机械共振；换 EE16 或浸漆变压器，或在输出端加 2 mA 假负载。
HV 引脚到地距离 < 6 mm，把 RCD 吸收的地单独走线，避免与 FB 采样地共线。
FT8395PB2 用“一颗 SOP-8 + 极简外围”诠释了原边反馈的极致：
省掉光耦、TL431、次级恒流检测；
集成 750 V MOSFET，直接驱动 12 V/200 mA；
QR+PFM+抖频，EMI 一脚踢；
5 重保护（OCP/OTP/OLP/VCC OVP/输出短路），量产不翻车。
如果你下个项目需要 5~24 W 小功率适配器，又不想在 BOM 上“卷”到怀疑人生，FT8395PB2 值得一试。