辉芒微电子（FMD）=“能做工艺、能做存储、能做电源” 的国产 MCU 全能玩家：

• 自研 UltraEE 工艺，Flash/EEPROM 同晶圆，125 ℃ 可擦写 200 万次；

• 8 位、32 位双赛道并行，国内少数能把 MCU + 电源管理 + 高压驱动塞进同一颗 SoC 的厂商；

• 从 0.5 元级的 8 位小家电到 3 元级的 32 位车规主控，一条线打遍中低端市场。

8 位 MCU：四张王牌，覆盖“灯声触电控”

王牌 1——超低功耗
‑ 运行 142 µA/MHz，待机 1.15 µA，0.9 V 仍可工作；
‑ 静态电流比同级 ST/Nuvoton 再低 20 %。

王牌 2——超小面积
‑ Die 面积小 20 %，一片晶圆多切 20 % 芯片，直接体现在 0.5 元终端价。

王牌 3——高可靠
‑ ESD 7 kV、EFT ±5.5 kV，家电网口浪涌一次过。

王牌 4——真 EEPROM
‑ 20 万次原地擦写，掉电数据 100 年，省掉外部 24C02。

代表型号一览

32 位 MCU：M0 与 M3 的“错位双打”

Cortex-M0 线：48 MHz，2.0–5.5 V，主打“低功耗 + 触摸”
‑ 16~64 KB Flash，4~8 KB SRAM；
‑ 可选 Touch 引擎，一颗芯片做滑条 + 电机 + 电源管理；
‑ 典型型号：FT32F030F6/G6/K8/C8T…（完整表在上文已列）。

Cortex-M3 线：72 MHz，自带 USB 2.0 FS Device

‑ 16~256 KB Flash，6~48 KB SRAM；
‑ 全系列硬件 USB + CAN，工业 HMI、USB 设备一步到位；
‑ 典型型号：FT32F103C4~VC，直接对标 STM32F103。

M0 vs M3 一张图看懂

辉芒微 MCU 的 6 大统一基因

    宽压：2.0–5.5 V，双节锂电、USB 5 V、12 V 转 5 V 都能直挂；
    低功耗：运行 <150 µA/MHz，Standby <1 µA，电池设备放半年不亏电；
    高抗扰：EFT ±5 kV、ESD 7 kV，家电网口浪涌、电机火花一次过；
    高集成：运放、比较器、12-bit ADC、DAC、PWM、触摸、USB、CAN “全家桶”级配齐；
    真 EEPROM：20 万次擦写，掉电 100 年，省 24C02 + 省代码空间；
    国产化：55 nm 成熟制程，全链条国内可控，AEC-Q100 车规认证已到手。

落地场景“九宫格”

开发上手 3 件套

    软件：FMD IDE（基于 VS Code 插件）、FMD-Link 调试器，SWD 2 线搞定；
    库：HAL/LL 双层库，寄存器名与 STM32 90 % 兼容，例程一次移植；
    生态：中文手册 + Datasheet + 全套参考设计，国内技术支持 48 h 内响应。

一句话总结

8 位 MCU 负责“省到极致”，32 位 MCU 负责“性能到顶”；
在辉芒微的版图里，没有哪颗芯片是孤岛——从 0.5 元的小风扇到 5 元的车规网关，都是同一条 UltraEE 工艺线上下来的“亲兄弟”。
选型时，只要先定电压、再看外设、最后数脚位，就能在辉芒微的“全家桶”里一次把料备齐。