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在 10 ~ 20 W 段适配器市场，“无 Y 电容 + 六级能效” 几乎成了网通/语音类产品的准入门槛：既要过 EMI，又要成本压到极限，还得让终端客户在 90 ~ 264 V 全电压范围内安心满载。辉芒微电子推出的 FT8395KB（内置 700 V MOSFET、SOP-8 封装）给出了一份“教科书”级答案——官方参考设计 DM40501CE v2.0 仅用 29 颗器件（含磁芯）就完成了 18 W 输出，BOM 成本低于 0.18 RMB/W（批量 10 k 套数据）。下文把原理图、变压器、PCB 与关键实测一次性讲透~
• 输入：90 ~ 264 VAC，47 ~ 63 Hz，两线制（无 PE）
• 输出：12 V/0 ~ 1.5 A（18 W 连续），CC 模式可带 5 000 µF 起机
• 效率：板端 86.7 %（115 V）/ 86.9 %（230 V）；线端 85.3 % / 85.4 %
• 空载功耗：<75 mW@230 V，满足 CoC V5 Tier-2
• 纹波：<110 mVpp@90 V 满载
• EMI：传导/辐射 EN55032 Class B margin >6 dB（无 Y）
• 安规：IEC/UL 60950 认证通过，Surge ±1 kV Class A 不重启
• 尺寸：单面板 35 mm × 23 mm，EE16 立式 5+2PIN，可与 12 V/1 A 共壳
输入 EMI & 整流
– LF1 共模电感 3.3 mH + CX1 0.1 µF/275 VAC 形成 π 型滤波
– 无 MOV（省成本），差模靠 CX1 + PCB 走线耦合
– DB1 MB6S 整流，C1 4.7 µF/400 V 做高压储能，R1 2 MΩ 泄放
主功率级
– U1 FT8395KB 集成 700 V MOSFET，谷底导通 QR 架构，65 kHz max
– T1 EE16：Np 73T 0.18 mm，Ns 7T × 2 (并联) 0.4 mm，Na 7T 0.18 mm
– RCD 吸收：R2 150 kΩ/0.25 W，C2 470 pF/1 kV，D1 RS1M
– 次级同步整流：D4 SR560L（60 V/5 A 肖特基，成本低）
输出滤波
– L1 3.3 µH 贴片功率电感 + C3/C4 470 µF/16 V 并联，R5 0.1 Ω ESR 调纹波
– C5 0.1 µF 陶瓷吸收尖峰
反馈 & 保护
– TL431 + PC817 光耦，R11/R12 分压 2.5 V 基准
– FB 下偏电阻短路时，U1 内部 OVP 14.2 V（实测）
– R9 0.68 Ω 检测原边电流，OCP 1.85 A（115 V 典型）
– 过温保护：芯片内部 150 °C 关断，迟滞 25 °C
关键“无 Y”技巧
– 变压器结构：屏蔽绕组 Na 7T 夹绕在 Np 与 Ns 之间，配合铜箔屏蔽 1/2 匝
– PCB 地分区：一次地、二次地各留 4 mm 隔离槽，光耦脚位跨隔离槽
– 输出共模电感 LF2 预留焊盘（默认 0 Ω 短接，若 EMI 裕量不足再贴片）
| 位号 | 参数 | 封装 | 典型供应商 | 备注 |
|---|---|---|---|---|
| U1 | FT8395KB | SOP-8 | FMD | 700 V/3 Ω MOSFET 集成 |
| T1 | EE16 立式 5+2 | — | 自主绕制 | 见下节变压器规格 |
| D4 | SR560L | SMC | MDD | 60 V/5 A 肖特基，VF 0.45 V |
| C1 | 4.7 µF/400 V | 8 × 11 | Aishi | 105 ℃ 5000 h |
| C3/C4 | 470 µF/16 V | 8 × 10 | Aishi | 并联降 ESR |
| L1 | 3.3 µH/2.5 A | 4 × 4 × 2 mm | Sunlord | 贴片功率电感 |
| R9 | 0.68 Ω/0.25 W | 1206 | Yageo | 原边电流采样 |
| PC817 | CTR 200 % | DIP-4 | Lite-On | 光耦 |
| TL431 | 2.495 V | SOT-23 | Diodes | 基准源 |
磁芯：EE16（立式加宽加长，5+2PIN），Ae 19 mm²，Bmax < 0.25 T
骨架：5+2PIN，一次侧 3-1，二次侧 7-5，辅助 6-4
绕组顺序：
Np 73T，0.18 mm UEW，密绕一层，3→1
铜箔屏蔽 1/2 匝，单端接地（PIN 2）
Na 7T，0.18 mm，6→4
Ns 7T×2，0.4 mm×2 并联，7→5
外铜箔屏蔽 1/2 匝，接 PIN 2
电感量：Lp 1.05 mH ± 8 %，漏感 < 40 µH
绝缘：Ns→Na 3 kVAC/1 min，Np→Na 3 kVAC/1 min，满足 IEC60950
• 单面板 35 mm × 23 mm，一次器件全部在顶层插件，二次贴片置于底层
• 功率环：C1 地 → U1 HV → T1 Pin3 → T1 Pin1 → RCD → C1+，环路面积 < 1 cm²
• 信号地：TL431、光耦二次侧地独立走线，最后单点接到输出负端
• 安规距离：一次-二次爬电 6 mm，开槽 0.8 mm×2，满足 250 V 污染等级 2
• 散热：U1 背面露铜 5 mm×5 mm，加锡或贴散热片，满载 45 °C 环境芯片 < 110 °C
• 效率：230 VAC 满载 88.0 %（板端），线端 85.6 %
• 纹波：230 VAC 满载 50 mVpp，90 VAC 满载 106 mVpp
• Surge：±1 kV 组合波，输出不掉电，示波器未见复位
• ESD：空气 ±8 kV，接触 ±6 kV，Class A
• 音频噪声：<20 dBA@10 cm，全电压全负载（无 Y 电容无啸叫）
FT8395KB 把 700 V MOSFET、QR 控制器、软驱动、OCP/OTP/FB OVP 集成到一片 SOP-8 里，再配套官方给出的 EE16 无 Y 变压器，把 18 W 六级能效适配器做到了“器件极简、成本极限、EMI 余量充足”。对于需要快速量产的网通、机顶盒、IoT 网关等 12 V 适配器，该设计可以“一把梭”直接落地；若需更高功率或不同电压，只需在变压器匝比和次级器件上做“小手术”即可，性价比依旧能打。