HN2301GN 与 HN2301BGN 是两款20V P沟道增强型功率MOSFET，采用先进沟槽工艺，主打低栅压驱动、低导通电阻、小体积负载开关。二者封装、电压、电流规格几乎一致，关键差异在于Rdson分档：

结论：GN版电流更大、Rdson更低，适合高效率场合；BGN版价格更优，适合成本敏感型负载开关。

技术亮点：为什么叫“低栅压神器”？

✅ 2.5V即可完全开启

• VGS(th) = -0.4V~-1V，典型 -0.7V
• MCU GPIO 3.3V 直接驱动，无需电平转换
• 锂电池侧负载开关省掉升压电荷泵

✅ 超低导通电阻

• GN：110mΩ（@VGS=-4.5V），4.5V轨效率更高
• BGN：150mΩ（@VGS=-4.5V），成本下降约10%

✅ 小体积、大电流

• SOT-23 封装，占板 2.9mm×1.3mm
• 脉冲电流 10A，轻松应对热插拔、电机启动

✅ 内置体二极管

• VSD = -1.2V@3A，反向续流，省掉外并肖特基
• 适合 H桥、同步整流、反向电池保护

典型应用：一颗MOS管，搞定三大场景

① 锂电池侧负载开关

BAT+ ──→ HN2301GN ──→ 负载
   │
  MCU GPIO（3.3V 直接驱动）

• 关断电流 <1µA，待机零损耗
• 开启电阻 110mΩ，1A 压降仅 110mV，发热 0.11W

② 反向电池保护

外部电源 ──→ HN2301GN ──→ 系统
   │
  GND（栅极接地）

• 电池反接时 MOSFET 不导通，系统零电流
• 正接时 VGS=-Vbat，自动开启，零额外功耗

③ PWM 小电机/LED 调光

MCU PWM ──→ 100Ω ──→ HN2301GN ──→ 电机
        │
        GND

• 开关时间 <50ns，100kHz 无压力
• Qg = 3.3nC，GPIO 驱动电流 <1mA

实测数据：GN vs BGN 同条件对比

结论：GN版效率更高、温升更低；BGN版成本优，适合非连续电流场合。

选型速查表

PCB Layout 3 条铁律

1. 栅极走线短而宽
   长度 <10mm，宽度 >0.25mm，减少寄生电感，避免振铃。
2. Source 直接接铜皮
   SOT-23 的 2 脚（Source）铺铜 ≥10mm²，过孔 3×3 到内层，Rdson 再降 5mΩ。
3. Gate 加 100Ω 小电阻
   抑制振铃，EMI 下降 3dB，尤其适合 PWM 应用。

常见问题速答

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总结：一颗小 MOS，解决“低电压驱动”大麻烦

HN2301GN/BGN 用 2.5V 超低栅压、110mΩ 超低导通电阻、SOT-23 超小封装，把 负载开关、反接保护、PWM 调光 三大功能压缩到一颗 3 脚器件里。无论是 锂电池供电的 IoT 设备，还是 3.3V MCU 直接驱动的电机，甚至是 反接保护+ORing 电源，它都能用 最低成本、最小体积、最简设计 一次搞定。