在氮化镓（GaN）还未全面普及的今天，传统硅MOSFET方案如何在“小功率快充”里继续打性价比牌？大宏成用Hi3245/46/47/48系列给出了答案：准谐振+原边控制（PSR）+集成650 V功率管，一颗DIP-8芯片就能做出30-75 W恒流/恒压适配器，待机功耗<75 mW，成本直逼自激振荡方案，性能却媲美LLC。下文带你拆透它的“身体构造”。

家族速览：4个型号，功率阶梯覆盖

注：功率受限于芯片结温，Drain脚大面积敷铜即可在50 °C环境下跑满表格值。

芯片“X光片”——内部框架图解读

（内部框图）把整颗芯片拆成5大模块：

    650 V集成MOSFET

    RDS(on)从1.5 Ω（3245）一路降到0.45 Ω（3248），直接省掉外置功率管+散热片，EMI还好。

    准谐振（QR）控制器

    谷底开通，降低EMI与开关损耗；最高90 kHz、最低48 kHz自动调频，轻载跳频， audible noise为零。

    PSR-CVM/PSR-CCM双环路

        恒压：采样辅助绕组，2 V基准，±4 %精度

        恒流：检测CS脚+消磁时间Tdem，原边算法把Tdem/Tsw锁定在4/7，省掉光耦、431、次级电流检测电阻。

    智能保护矩阵

    UVLO/OVP/OTP/OCP/SCP/LEB，全部集成，无需外置RC。

    线损补偿（CDC）

    FB脚外接分压电阻，芯片内部50 µA可编程电流源按占空比注入，电缆末端电压降自动补回，USB口空载与满载电压差<40 mV。

典型应用电路：12 W/5 V、24 W/12 V两套范例

图1给出最简12 W方案，BOM仅19颗元件：

• 变压器：EE16，Np:Ns:Na = 110:11:20，感量1.8 mH
• Rcs：1.2 Ω，限流500 mV
• FB分压：R1=3 k、R2=18 k，线补系数≈4.6 %
• VDD电容：10 µF/50 V，启动电阻1.5 MΩ，0.3 s极速启动
• 输出：5 V/2.4 A，满载效率>86 %，230 VAC待机功耗68 mW

想把功率拉到24 W？
换EE25变压器，Rcs降到0.68 Ω，Drain脚铜皮≥25 mm²，3246/3247即可稳定跑12 V/2 A。

管脚定义与Layout要点

实测波形——“安静”又“干净”

• QR谷底开通：Drain dv/dt≈1 V/ns，EMI传导余量>6 dB
• 恒流切换：CV→CC过渡<200 mV过冲，满足USB-PD动态负载±5 %
• 短路保护：FB<0.5 V持续36 ms，芯片打嗝，重启间隔700 ms，温升<35 K

选型与替代

总结：一颗DIP-8，把“简单高效”做到极致