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MT6705C兴晶泰5V3.1A电源应用方案,同步整流应用注意事项
类别:产品新闻 发布时间:2025-12-04 13:52:43 浏览人数:16372

在快充适配器市场,5 V 3.1 A 的输出规格已成为主流需求。MT6705C 是一颗内置 60 V 功率 MOSFET 的同步整流(SR)控制器,专为 5 V 3 A-3.1 A 级别快充适配器、排插 USB、车载充电器设计。采用 SOP-8 封装,兼容 DCM/QR/CCM 三种工作模式,最高工作频率 130 kHz,集成 VCC 自供电、漏源检测、智能睡眠,可把次级整流损耗再降 30 %,轻松满足 CoC V5 Tier-2 能效。


5 V 3.1 A 应用电路(参考)



关键 BOM
  • SR-MOS:60 V/10 mΩ(兼容 5×6 DFN 或 SO-8)
  • VCC 电容:1 µF/25 V X7R,紧靠 5-6 脚
  • 电流检测:芯片利用 DS 之间 ΔVds,无需外接分流电阻
  • 输出电容:470 µF ×2(低 ESR)+ 22 µF 陶瓷,纹波 <80 mV


同步整流“六条军规”


PCB 环路最小化

次级电流环(Transformer→SR-MOS→Cout)面积 <1 cm²,降低辐射 10 dB。


DRV 走线短粗

栅极驱动 ≤10 mm,线宽 ≥0.3 mm,避免 Gate 振铃导致误关断。


VCC 去耦 <5 mm

VCC 电容地脚与 7 脚(GND)单点星型连接,防止共模干扰拉高 VCC。


Drain Kelvin 连接

高压检测脚(2 脚)单独拉到 MOS 漏极,不与功率线共享铜箔,保证 ΔVds 采样精度。


智能睡眠阈值

负载 <60 mA 自动进入绿色模式;若出现“小载啸叫”,可把变压器匝比下调 1 圈,提高反射电压 >5 V。


热设计

SOP-8 底部焊盘必须打 3×3 过孔到内层铜皮,70 ℃ 环温下 3.1 A 连续工作,芯片温升 <45 ℃。



调试速查表


现象可能原因快速对策
空载 5 V 飘高 5.3 V睡眠后 SR 关闭,次级只剩体二极管加大假负载 1 kΩ 或把辅助绕组电压下调 0.5 V
满载 3 A 啸叫SR 延迟过长,与原边错位检查 DRV 走线电感,并联 10 Ω + 1 nF 阻尼
低温不启动VCC <4 V 触发 UVLO把 VCC 限流电阻由 100 Ω 降至 47 Ω
传导 150 kHz 余量不足SR 开关振铃注入在 Drain-Source 并 100 pF/100 V 陶瓷,牺牲 0.3 %



能效与温升实测


条件:90 VAC-264 VAC,5 V/3.1 A,25 ℃ 自然对流


项目115 VAC230 VAC
平均效率87.2 %87.9 %
10 % 负载效率81.5 %82.0 %
PF0.520.51
芯片表面温升42 ℃38 ℃
输出纹波68 mV72 mV


总结:一颗 SR 芯片,把 5 V 3 A 做到“三好”


  • 效率高:平均 >87 %,比肖特基方案提升 3-4 %
  • 温度好:SR-MOS 10 mΩ + 智能睡眠,SOP-8 无需散热片
  • EMI 好:次级无振铃尖峰,传导余量 >6 dB,过认证不头疼


MT6705C 以其卓越的性能和高度集成的设计,为 5 V 3.1 A 快充适配器提供了高效、低功耗的同步整流解决方案。它不仅显著提升了系统效率,降低了温升,还通过简化设计减少了外围元件数量,降低了整体成本。深圳三佛科技提供技术支持,批量价格有优势~

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