HN0501 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用常见的 SOT23-3L 封装，却拥有 100V 漏源耐压与 5A 连续电流能力，Rdson 典型值仅 135mΩ（@10V）。凭借“高耐压 + 低导阻 + 小体积”组合，它在中压、中小功率场合（LED 驱动、电机 H 桥、DC-DC 同步整流等）成为硬件工程师口袋里的“万能开关”。

关键参数一览

Rdson 随温度曲线25°C 时 135mΩ，150°C 约 1.8 倍，仍远低于同封装 100V 器件常见 200mΩ 水平。

封装与热设计

• 顶层 1in² 铜箔 + 9 个 0.3mm 过孔到内层地，实测 RθJA 可降至 ≈41°C/W
• 1A 持续电流时，导通损耗 I²R=0.135W，温升仅 6.8°C，远小于 2.5W 额定功耗

I-V 与开关特性

典型应用电路

1. 24V→12V 同步 Buck（2A）
   • 上管：HN0501 ×1
   • 下管：HN0501 ×1（同步 MOSFET）
   • 频率：300kHz
   • 实测效率 94.2%@2A，板温 <45°C
2. LED 升压恒流 36V 300mA
   • 开关管：HN0501
   • 控制器：任何 SOT23-6 Boost IC
   • 电感：22µH，饱和电流 >1A
   • 无散热器，连续工作 8h 壳温 60°C
3. H 桥直流电机驱动 24V 1A
   • 4×HN0501 组成全桥
   • 栅极串 10Ω 抑制尖峰，体二极管续流
   • 正反转 + 刹车，PCB 面积 20mm×25mm 完成

驱动与保护设计

• 栅极驱动
  Qg=15.5nC，峰值电流 1A 即可在 15ns 内完成充放电；>6V 驱动保证 Rdson 进入饱和区。
• 防静电
  HBM>2kV，但在高速接口仍建议 5V 齐纳做 G-S 钳位，避免感应击穿。
• 雪崩能量
  单脉冲雪崩 100mJ，可承受一定感性负载；若频繁雪崩，建议在漏极并 RC 吸收。

与同规格竞品对比

在 100V 级别里，HN0501 的导通电阻与栅电荷均处于领先，价格与交期优于国际大厂，适合大批量消费类与工业级应用。

总结

HN0501 把 100V 耐压、135mΩ 低导阻和 15.5nC 低栅电荷浓缩进拇指盖大小的 SOT23-3L：

• 高压侧开关、同步整流、H 桥臂，皆可胜任
• 100kHz-300kHz 硬开关损耗低，EMI 友好
• 2.5W 功耗极限，配合铜箔散热，可连续 5A 工作
• 与 3.3V/5V MCU 直接接口，省掉驱动 IC，进一步降本

当空间、成本、可靠性必须同时兼顾时，HN0501 就是硬件工程师口袋里的“百伏级万能开关”。深圳三佛科技提供技术支持，批量价格有优势~