FT8440A芯片凭借其高集成度和灵活性，为多种电源转换需求提供了理想的解决方案。这款芯片不仅能够满足隔离反激和非隔离Buck拓扑的要求，还能在不同的输出功率下实现高效率和稳定性。本文将深入探讨FT8440A芯片在12V/600mA隔离反激方案以及12V/300mA和18V/250mA非隔离Buck方案中的应用，展示其卓越的性能和广泛的应用前景。

方案总览

12V/600mA 隔离反激方案

原理图要点

• 原边 Flyback，内置 650V MOSFET
• 辅助绕组自供电，无光耦
• 副边同步整流可选，效率再提 2%
• 输出π型滤波，纹波 <100mV

关键波形

见上图：230V 输入、600mA 负载时，Vds 尖峰 <580V，漏感能量通过 RCD 吸收，裕量充足。

实测数据

• 线性调整率：±0.75%（90-264V）
• 负载调整率：±1%（0-600mA）
• 动态 10%-90%：ΔVo=±0.8V，恢复 <500µs
• 保持时间：20ms@230V（满足安规）
• 雷击：±4kV L-PE/N-PE PASS
• 空载功耗：55mW@230V

变压器参数

• 磁芯：EE13，Ae=17mm²
• Lp=1.3mH ±8%
• Np:Ns:Na=180:12:20
• 漏感 <15µH，降低尖峰
• Bmax=0.28T@90V满载，远离饱和

12V/300mA 非隔离 Buck 方案

电路图

• Buck 电感 L2=1mH，饱和电流 >600mA
• 输出电容 470µF/16V ×1，纹波 80mV
• RCD 吸收可选，尖峰 <450V

效率曲线

见上图：230V 输入、300mA 输出时效率 85%，115V 仍保持 83%，全压范围内纹波 ≤100mV。

关键数据

• 动态 0→300mA：ΔVo=±200mV，恢复 200µs
• 过流保护：打嗝式，解除自恢复
• 过温保护：内置 150℃关断，30℃迟滞
• 单层 PCB 32×20mm，单面走线即可过 EMI Class B

18V/250mA 非隔离 Buck 方案

与 12V/300mA 差异

• 电感 L=1.2mH，饱和电流 >500mA
• FB 分压电阻比例调整，Vo=18V
• 输出电容 2.2µF/400V + 470µF/25V，纹波 90mV
• 效率曲线见图 00：230V 输入、250mA 输出时 86%，115V 保持 84%

应用亮点

• 为 18V 直流电机、工业传感器、继电器线圈供电
• 雷击 4kV、EFT 4kV、空气 ESD>18kV 全部 PASS
• 待机 50mW，满足欧盟 CoC V5 Tier-2

三档方案快速切换指南

总结

FT8440A 用一颗内置 650V MOSFET 的原边 PWM 开关，覆盖「12V/600mA 隔离」+「12V/300mA & 18V/250mA 非隔离」三大黄金功率段：

• 无光耦、无 TL431，BOM 数量 <12 颗
• 峰值效率 88%，空载 <50mW，单层板过 EMI B
• 雷击 4kV、EFT 4kV、空气 ESD>18kV，全压全负载稳定运行
• 三档方案 pin-to-pin 兼容，换变压器/电感即可快速迭代

当充电器、小家电、工业传感器同时追求「体积小、认证快、成本低」时，FT8440A 就是工程师手中“三合一”的功率答案——一颗芯片，三种输出，一步到位。深圳三佛科技为辉芒微一级代理，提供技术支持，批量价格有优势~