PL3327是聚元微推出的「原边控制 + 内置650V MOSFET」反激式功率开关系列，涵盖DIP7、SOP7、SOP8四种封装，单颗芯片即可输出5V-24V/18W以内电源。它把传统方案中的光耦、TL431、高压MOSFET、启动电阻全部省掉，BOM从25颗压缩到12颗，峰值效率>87%，空载功耗<75mW，单层PCB过EMI Class B，是手机充电器、小家电辅助电源、LED驱动等场合的“极简三件套”——芯片+变压器+几颗阻容即可量产。

型号一览

管脚分布与功能

关键脚位说明

• FB：外接分压电阻到辅助绕组，0.95-1.05V基准，内置12µA线补偿电流
• VCC：7V启动，27V钳位，自供电架构，无需启动电阻
• DRAIN：650V/2.5Ω，最大峰值电流≈2A，可直接驱动EE16变压器

内部框架图解读

下图展示了一颗“模拟电源SoC”：

1. 高压MOSFET+启动电路
   650V/2.5Ω，Rdson典型2.5Ω；1µA启动电流，省去启动电阻与VCC二极管。
2. 原边CV/CC双环路
   • 恒压：FB采样辅助绕组退磁电压，与2.5V基准比较
   • 恒流：CS峰值电流+退磁比例49%，实现±5%恒流精度
3. 自适应PWM/PFM
   重载120kHz PWM；中载降频；空载550Hz跳周期，待机<75mW，无音频噪音。
4. 全套保护
   OCP/UVLO/OVP/OTP，全部自恢复；300ns前沿消隐，EMI裕量>6dB。

典型应用图——18W 12V1.5A Demo

• 变压器：EE16，Lp=1.8mH，Np:Ns=120:18
• 输出电容：470µF×2，纹波<120mV
• 单层PCB 42×35mm，BOM 12颗，峰值效率87%

关键设计公式

1. 输出电压设定
   Vo = (Vref_EA/RFBL × RFBH + Vref_EA) × Ns/Nf - VD
   Vref_EA=2.5V，内置12µA线补电流，RFBH越大补偿越强。
2. 恒流点设定
   Io = 0.5 × Lm × Fsw × IPK² × η / Vo
   IPK已内置，只需调变压器匝比即可改变电流。
3. 变压器规格
   • EE13/EE16，Lp=1.2-2.2mH
   • 漏感<5µH，降低尖峰
   • Bmax<0.28T@90V满载
4. PCB布局
   • VCC旁路1µF+100nF紧靠4脚
   • FB分压节点远离原边动点，走线<5mm
   • 功率环面积<30mm²，副边二极管-输出电容最短回地

封装与散热选择

与上一代 RCC/线性电源对比

总结

PL3327系列用一颗 DIP7/SOP7/SOP8 就把 650V MOSFET、原边 CV/CC、自适应 PWM/PFM、全套保护全部集成，提供 18W 级别「极简、高效、低成本」三合一体验：

• BOM 从 30 颗砍到 12 颗，成本立降 35%
• 87% 峰值效率，65mW 待机，轻松满足全球能效
• 零调试、单层板过 EMI，产线良率>99%
• 四封装兼容，一周完成插件↔贴片切换

当充电器、小家电、LED 驱动同时追求「器件最少、体积最小、认证最快」时，PL3327就是硬件工程师口袋里的「18W 万能电源芯片」——一颗芯片，一套变压器，几颗阻容，即可点亮全球！深圳三佛科技提供技术支持，批量价格有优势~