在PD快充和电源适配器设计领域,辉芒微的FT8493系列凭借其高集成度、双绕组架构和极简外围设计,成为20-30W功率段的热门选择。该系列目前主要有两个型号:FT8493KA和FT8493PA,两者看似相似,实则定位不同。本文将从实际应用角度出发,帮你理清选型思路。
| 参数 | FT8493KA | FT8493PA |
|---|---|---|
| 典型功率(90-264Vac) | PD 20W | PD 25W |
| 典型功率(230Vac±15%) | PD 25W | PD 30W |
| 封装形式 | SOP8 | SOP8 |
| 内置功率管耐压 | 750V | 750V |
| 待机功耗 | <75mW | <75mW |
| 工作模式 | CCM + 抖频 | CCM + 抖频 |
| 保护功能 | OVP/UVLO/SCP/OTP | OVP/UVLO/SCP/OTP |
结论:两者在电气特性、保护功能、封装尺寸上完全一致,唯一的区别在于内置功率管的导通电阻(Rds(on))不同,导致载流能力存在差异,最终体现在最大输出功率上。

两款芯片均采用双绕组+次边反馈(SSR)架构,相比传统三绕组方案,省去了辅助绕组和VDD二极管,BOM成本显著降低。典型应用电路如下:
均支持逐周期限流、VCC过压、欠压锁定、输出短路、过温保护(OTP),系统可靠性有保障。
FT8493PA的内置MOSFET导通电阻更小
在SOP8封装(热阻约80-100°C/W)的限制下,功率差异直接影响了温升表现:
| 应用场景 | 推荐型号 | 理由 |
|---|---|---|
| 20W PD快充,封闭外壳 | FT8493KA | 成本优先,功率匹配 |
| 25W PD快充,开放环境 | FT8493KA/PA均可 | 根据散热条件选择 |
| 25W PD快充,封闭外壳 | FT8493PA | 降低导通损耗,控制温升 |
| 30W高功率密度设计 | FT8493PA | 唯一选择 |
开始选型
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应用场景功率需求?
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├── ≤20W ──→ FT8493KA(性价比最优)
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├── 20-25W ──→ 散热条件好?──→ 是 ──→ FT8493KA
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│ └──→ 否 ──→ FT8493PA
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└── ≥25W ──→ FT8493PA(必须)
1、成本敏感型产品(如基础款充电器):选KA,单颗芯片成本更低
2、温升要求严苛(如迷你快充、GaN搭配设计):选PA,损耗更低
3、平台化设计:建议统一用PA,一颗料覆盖20-30W全系列,减少库存管理成本

规格书中特别强调了PCB Layout的关键点:
红色走线(VCC电容回路+功率地回路)宽度必须≥0.3mm(铜厚1oz)
由于芯片省去了CS引脚,大电流路径集中在:
Layout时需确保这些路径短而粗,避免开关噪声干扰。
FT8493KA和FT8493PA是"同芯不同力"的关系。它们共享相同的控制架构和保护逻辑,差异仅在于功率管的电流处理能力。深圳三佛科技提供技术支持,批量价格有优势~
| 选型原则 | 推荐 |
|---|---|
| 追求极致性价比,功率≤20W | FT8493KA |
| 需要功率余量,或散热受限 | FT8493PA |
| 产品线覆盖20-30W多功率段 | 统一用FT8493PA,简化供应链 |