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在 15W~20W 充电器市场，5V3A~5V3.4A 输出是手机快充、平板充电的主流规格。传统方案用肖特基二极管整流，效率低、发热大；外置MOS的同步整流方案又需要复杂的驱动电路。有没有一颗芯片，内置低导阻MOS、外围极简、直接替代肖特基？
答案是：FT8371CQ-RT，这颗 SOP-8 封装的次边同步整流芯片，内置 9mΩ/40V 超低导阻MOS，支持 DCM/QR 模式，负端应用零外围（只需接变压器和输出电容），是 5V3.2A（16W）充电器的理想选择。
FT8371xQ 是一个系列化产品，通过内置不同尺寸的MOS管覆盖不同功率段：
| 型号 | 内置MOS导阻 | 连续电流 | 峰值电流 | 典型应用功率 |
|---|---|---|---|---|
| FT8371AQ | 20mΩ | 7A | 30A | 5V2A（10W） |
| FT8371BQ | 15mΩ | 9A | 35A | 5V2.4A（12W） |
| FT8371CQ | 9mΩ | 13A | 50A | 5V3.2A（16W） |
FT8371CQ-RT 是系列中导阻最低、电流能力最强的型号，-RT 表示编带包装、RoHS无卤无磷。9mΩ 的导阻在 5V3.2A 输出下，导通压降仅：
Vdrop = 3.2A × 0.009Ω = 0.029V
Ploss = 0.029V × 3.2A = 0.093W
相比 SS34 肖特基（0.5V压降，1.6W损耗），损耗降低17倍！FT8371CQ-RT 的完整型号编码含义如下：
内置9mΩ/40V MOS：超低导阻，16W输出温升可控
支持DCM/QR模式：适配主流反激拓扑
负端应用零外围：只需接变压器和输出电容，无需任何元件
正端应用仅1颗电容：VCC接0.47~1μF电容即可
智能防误开通：检测漏源电压，避免激磁振荡误动作
SOP-8封装：标准封装，易于生产和替代
FT8371CQ 采用标准 SOP-8 封装
设计要点：
D脚（5~8）和GND脚（1~3）均多个引脚并联，目的是降低封装寄生电阻、提高散热能力
VCC引脚在负端应用a模式下可以悬空，芯片内部自供电
正端应用时VCC需外接0.47~1μF电容到GND
FT8371CQ 内部集成了 同步整流MOS管、漏源电压检测、逻辑控制、驱动电路、UVLO保护 等完整功能。
FT8371CQ 支持三种接线方式，适配不同设计需求：
方案A：负端应用a（零外围，极简方案
特点：VCC脚悬空，芯片完全通过内部自供电工作。零外围元件，成本最低。
方案B：负端应用b（加VCC电容，更稳定
特点：VCC脚接0.47~1μF电容到GND，供电更稳定，适合对可靠性要求更高的场景。
方案C：正端应用（输出正极接地系统
特点：适用于输出正极需要接地的系统（如某些通信设备）。VCC必须外接电容。
Drain脚大面积铺铜：D脚（5~8）是主要散热途径，PCB上需铺足够铜皮，建议至少0.5平方英寸
次边大电流路径短粗：变压器次级→FT8371CQ→输出电容的环路面积要小，走线尽量短而粗
GND脚低阻抗接地：GND脚（1~3）多个并联，确保低阻抗接地
VCC电容靠近芯片：正端应用时，VCC电容尽量靠近VCC和GND引脚
避免与初级耦合：同步整流芯片区域远离原边高压开关噪声，减少干扰
FT8371CQ 适用于以下高效率同步整流场景：
| 应用 | 输出规格 | 特点 |
|---|---|---|
| 手机快充 | 5V3A / 5V3.2A | 高效率、低发热、小体积 |
| 平板充电器 | 5V2.4A~5V3.4A | 大电流、高效率 |
| 移动电源适配器 | 5V3A | 高效率延长续航 |
| 机顶盒电源 | 5V2.5A | 低待机、高可靠 |
| 工业辅助电源 | 5V3A | 宽温工作、长寿命 |
FT8371CQ-RT 是辉芒微在次边同步整流领域的高性价比之作：
9mΩ超低导阻：16W输出损耗仅0.1W，效率可达93%
内置MOS+智能控制：一颗SOP-8替代肖特基+驱动IC+外围
零外围设计：负端应用a模式无需任何元件，成本极低
智能防误开通：检测漏源电压，避免激磁振荡误动作
快速开关：70ns导通延迟、100ns关断延迟，适配高频QR
对于追求高效率、小体积、低成本的 5V3A~5V3.2A 充电器、适配器设计，FT8371CQ-RT 是值得优先考虑的同步整流方案。如需选购可以咨询店铺客服：https://detail.1688.com/offer/1048763714339.html?spm=a28888.manage-offer.0.0.26227197H3or4V