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EG3112 是屹晶微电子推出的一款高性价比半桥栅极驱动芯片，采用 SOP-8 封装，高端耐压 600V，输出拉电流 2A / 灌电流 2.5A，自带死区控制和互锁保护，专门用于驱动大功率 MOS 管或 IGBT，常见于无刷电机、开关电源、逆变器等半桥拓扑。
高端悬浮耐压：600V
低端供电范围：2.8V ~ 20V
输出峰值电流：拉电流 2A / 灌电流 2.5A
最高开关频率：500kHz
输入兼容性：支持 3.3V / 5V 逻辑电平
静态电流：< 5µA（极省电）
内置保护：死区控制、互锁防直通、输入下拉
封装：SOP-8
| 引脚 | 名称 | 类型 | 功能说明 |
|---|---|---|---|
| 1 | Vcc | 电源 | 芯片工作电源，2.8V~20V，建议并 0.1µF 高频退耦电容 |
| 2 | HIN | 输入 | 高端驱动逻辑输入，高电平有效，内置 200kΩ 下拉电阻 |
| 3 | LIN | 输入 | 低端驱动逻辑输入，高电平有效，内置 200kΩ 下拉电阻 |
| 4 | GND | 地 | 芯片参考地 |
| 5 | LO | 输出 | 低端功率管栅极驱动输出 |
| 6 | VS | 悬浮地 | 高端悬浮参考地，接半桥中点 |
| 7 | HO | 输出 | 高端功率管栅极驱动输出 |
| 8 | VB | 悬浮电源 | 高端自举电源端 |
EG3112 内部集成了：
输入处理电路：HIN/LIN 经施密特触发器整形，内置 200kΩ 下拉，悬空时自动关断功率管。
互锁与死区电路：硬件上彻底杜绝上下管同时导通，防止半桥直通炸管。
电平位移 + 脉冲滤波：把低端的逻辑信号安全传递到 600V 高端悬浮区。
图腾柱输出驱动：提供 2A/2.5A 的峰值充放电电流，快速开关 MOS/IGBT。
| HIN | LIN | HO | LO | 状态 |
|---|---|---|---|---|
| 0 | 0 | 0 | 0 | 双管关断 |
| 0 | 1 | 0 | 1 | 下管导通 |
| 1 | 0 | 1 | 0 | 上管导通 |
| 1 | 1 | 0 | 0 | 互锁保护，双管关断 |
EG3112 最常见的接法是驱动半桥：
低端：Vcc 接 12V，LO 直接驱动下管 MOS。
高端：通过外接自举二极管（如 FR107）和自举电容，利用下管导通期间给 VB-VS 之间电容充电；上管导通时，电容放电为高端驱动器供电，实现 600V 悬浮驱动。
栅极电阻：HO、LO 到 MOS 栅极各串一颗小电阻（如 1N4148 并联可调电阻），抑制振铃、调节开关速度。
无刷电机驱动器
电动车控制器
变频水泵
高压 Buck 电源
Class-D 功放
移动电源高压快充
| 参数 | 典型值 | 最大值 |
|---|---|---|
| 低端开通延时 Ton | 280ns | 400ns |
| 低端关断延时 Toff | 125ns | 300ns |
| 高端开通延时 Ton | 250ns | 400ns |
| 高端关断延时 Toff | 180ns | 400ns |
| 上升/下降时间 Tr/Tf | 120ns / 80ns | 200ns / 100ns |
| 死区时间 DT | 100ns | 300ns |
自举电容选择：根据开关频率和 MOS 栅极电荷选取，通常 10µF 左右电解电容并联 0.1µF 陶瓷电容即可。
自举二极管：耐压要高于母线电压，恢复速度要快，FR107 是常用低成本选择。
Vcc 供电：高压 MOS/IGBT 推荐 10V~15V；低压 MOS 可适当降低，但不宜低于 2.8V。
输入逻辑：3.3V 或 5V MCU 可直接驱动，无需额外电平转换。
Layout 注意：Vcc 退耦电容尽量靠近芯片；功率地与信号地单点连接，避免干扰。
EG3112 是一款"省外围、耐高压、大电流"的半桥驱动芯片。600V 的悬浮耐压让它能直接驱动高压半桥的上管，2.5A 的灌电流能力保证了快速关断、降低开关损耗，内置的死区和互锁则让硬件工程师少操一份心。
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