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HN6875华诺芯60W合封碳化硅PSR隔离芯片解析,无需光耦817,431
类别:产品新闻 发布时间:2026-10-08 11:54:49 浏览人数:18691

做60W左右隔离电源的工程师,一定被这套东西折磨过:光耦817、TL431、补偿网络、副边采样电阻……元件多、占板大、成本高,还要反复调环路稳定性,改一版板子头都大。

现在有个更省事的选择——华诺芯HN6875:合封碳化硅MOS的PSR隔离Flyback方案,光耦和431统统不需要!

HN6875芯片概述


HN6875是HN687X系列中的一员,把电流模式PWM控制器和高压碳化硅MOSFET合封在一颗DIP-8芯片里,直接做隔离反激,原边反馈(PSR)控制,副边不需要光耦和431,系统精简程度拉满。

🔹 合封SiC MOSFET,漏极耐压高达750V,应对高压输入和开关尖峰余量充足 
🔹 HN6875漏极电流能力4A,Rdson仅0.38Ω 
🔹 60W功率段绰绰有余

为什么说它省?传统60W隔离方案:PWM控制器 + 外挂高压MOS + 光耦817 + TL431 + 副边采样 + 补偿网络 HN6875方案:一颗芯片 + 变压器,搞定!省掉的不只是BOM成本,还有PCB面积、贴片工序、环路调试时间。


HN6875芯片核心亮点


🔹 PWM控制器+SiC MOSFET合封一颗DIP-8,漏极耐压750V,Rdson仅0.38Ω 
🔹 PSR原边反馈,副边无光耦无431,输出精度靠原边检测,没有光耦老化漂移 
🔹 60W功率段(全电压输入45W,180-260V输入可到65W) 
🔹 扩展Burst Mode,空载自动降频,待机功耗低 
🔹 75KHz固定频率+频率抖动,EMI好处理 
🔹 保护齐全:OVP、OCP、OTP、UVLO,4mS软启动,全部自动自恢复

对比传统方案: 原来:PWM控制器+外挂高压MOS+光耦817+TL431+补偿网络 现在:一颗芯片+变压器,外围省一半,PCB小一圈,环路不用调。

HN687X系列芯片功率全覆盖


🔸 HN6871:24W~33W(Rdson 1.2Ω) 
🔸 HN6872:28W~40W(Rdson 0.85Ω) 
🔸 HN6873:30W~48W(Rdson 0.65Ω) 
🔸 HN6874:36W~55W(Rdson 0.5Ω) 
🔸 HN6875:45W~65W(Rdson 0.38Ω) 
🔸 HN6876:50W~80W(Rdson 0.25Ω) 
🔸 HN6877:60W~90W(Rdson 0.16Ω) 
🔸 HN6878:72W~110W(Rdson 0.1Ω)

同一套设计平台,功率升级只换芯片,电路和变压器微调即可,做多功率段产品特别顺手。


典型应用及电路原理图


电源适配器 
电池充电器 
开放式开关电源 
PD快充 
需要大功率隔离供电的小家电和工业辅助电源



60W隔离Flyback,选HN6875——合封碳化硅MOS、PSR免光耦免431,又小又省又简单!

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