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BP85256D非隔离参考设计(12V/300mA电源解决方案)
类别:产品新闻 发布时间:2024-11-26 11:47:16 浏览人数:18804

在电源设计领域,非隔离电源转换器因其成本效益和简化的设计而受到青睐。BP85256D是一款高性能、高集成度的开关电源驱动芯片,专为全电压85~265VAC输入的Buck、Buck-Boost变换器拓扑应用设计。本文将详细介绍基于BP85256D的非隔离参考设计,输出规格为12V/300mA。

BP85256D芯片概述


BP85256D芯片内部集成了650V高压MOSFET、高压启动和自供电电路、电流采样电路、电压反馈电路以及续流二极管。这款芯片采用先进的控制技术,无需外部VCC电容和环路补偿即可实现优异的恒压输出特性,有助于减少外围器件数量,节省系统成本和体积,同时提高可靠性。

12V/300mA电源规格



BP85256D在12V/300mA的应用中表现出色,能够提供稳定可靠的电源输出。这款芯片的低待机功耗(50mW@230Vac)和优异的动态响应速度,使其成为小家电辅助电源、电机驱动辅助电源以及IOT/智能家居/智能照明等应用的理想选择。

电路设计原理


BP85256D的电路设计通常包括以下几个关键部分:

    输入电路:包括保险电阻、防雷压敏电阻、整流桥堆、EMI滤波电容以及滤波电感。
    功率处理级:由BP85256D芯片、续流二极管、输出电感及输出电容构成。
    保护电路:内置过热保护(OTP)、VCC欠压闭锁(UVLO)、过载保护(OLP)、短路保护(SCP)等。



电路图示例


一个典型的BP85256D应用电路图可能包括以下元件:

    VOUT:输出电压端,芯片内部反馈二极管阳极。
    GND:输出电压参考地,内部续流二极管阳极。
    NC:无连接。
    DRAIN:芯片内部高压MOSFET漏极,提供自供电电流。
    IC-GND:芯片地,内部MOSFET源极。
    FB:电压采样端,内部反馈二极管阴极,外部无需连接。

设计注意事项



在设计基于BP85256D的电源时,应注意以下几点:

    确保输入电压范围在85~265VAC之间。
    选择合适的电感和电容,以满足12V/300mA的输出要求。
    考虑EMI和安全规范,确保电路符合相关标准。
    利用芯片的保护功能,提高电源的可靠性。

结论


BP85256D提供了一种高效、可靠的非隔离电源解决方案,特别适合12V/300mA的应用。通过精心设计的电路,可以确保电源的稳定性和效率,满足各种电子设备的需求。无论是小家电还是智能家居设备,BP85256D都能提供所需的电源支持。

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