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HN6922C 是华诺芯（HIN）推出的一款 AC-DC 原边反馈（PSR）控制芯片，专门设计用来驱动外部 SiC（碳化硅）MOSFET 功率管。输出具有恒压（CV）、恒流（CC）两种模式，适用于 100W 以内的充电器、适配器。
它和常见的原边反馈芯片一样，不需要光耦和 TL431，输出电压电流全靠初级侧检测控制，外围电路简单、成本低。而且它本身采用小巧的 SOT23-6 封装，是控制器外挂 SiC 功率管的方案，功率可以做得更大，散热也更灵活。
普通硅 MOS 和 SiC MOS 的驱动特性差别很大，随便拿个驱动芯片接上去容易出问题。HN6922C 专为 SiC 做了优化：
18V 驱动钳位：VCC 低于 18V 时驱动电压跟随 VCC，不会过压击穿 SiC 的栅极
恒流源驱动技术：米勒平台期间用较小的 source 电流（30mA）慢慢推开开关管，压慢 dv/dt，有效减小 EMI；过了米勒平台再加大到 100mA 快速开通；关断 sink 电流达 400mA，关断干脆
谐振谷底开启：进一步降低开关损耗、改善 EMI
所以用 SiC 管做高频高效率电源，这颗芯片把最难搞的驱动和 EMI 问题都处理好了。
引脚---名称---功能
1---GND---芯片地
2--GATE---驱动输出，接外部 SiC MOS 栅极
3---CS---电流采样脚（接采样电阻）
4---FB---输出电压反馈脚（接辅助绕组分压电阻）
5---NC---悬空
6---VCC---芯片供电
特别说明：GATE 到 SiC 栅极之间不要加驱动电阻、泄放电阻，直接连接即可；必要时最多串一个 10Ω 左右的小电阻。
推荐最高工作频率 130kHz，VCC 工作范围 13.2~34V
启动电流 <5μA，待机功耗低至 75mW，满足能效六级
PWM+PFM 混合控制：负载下降时频率和峰值电流一起降，全负载段高效率，且最大限度避免音频噪声
恒压恒流精度 ±5%
内置前沿消隐、频率抖动、逐周期限流
内置线电压补偿，90~264VAC 全电压范围恒流精度一致
外部可编程线损（Cable）补偿
VCC 过压保护（34V 触发，自动重启）
输出过压保护（FB 超过基准 1.25 倍，连续 6 个周期触发）
输出欠压保护（FB 低于基准 50%/40%，64ms 触发）
次边肖特基短路保护：输出整流二极管短路或变压器饱和时，CS 峰值超 1.2V 连续 7 个周期触发保护
FB/CS 引脚开短路保护（含 CS 短路专判逻辑）
逐周期限流 + 350ns 前沿消隐
过温保护（150℃ 关断，120℃ 恢复）
外围结构非常简单：
初级：AC 输入 → 整流桥 → 滤波电容 → 变压器初级 → 外部 SiC MOS 漏极；GATE 直接驱动 SiC 栅极；CS 串采样电阻到地；FB 接辅助绕组分压电阻；VCC 由启动电阻供电，正常工作时辅助绕组供电
次级：变压器次级 → 肖特基二极管 → 输出电容
典型应用：48W~120W 的充电器、适配器方案。SiC 管耐压高（常用 650V/800V）、导通损耗低、开关速度快，做 65W、100W PD 快充这类高密度电源非常合适。
HN6922C 的定位很清晰：用小封装的 PSR 控制器 + 外挂 SiC 功率管，做中大功率隔离电源。它把 SiC 驱动（18V 钳位、恒流源驱动）、EMI（谷底开启、频率抖动）、全电压恒流精度（线电压补偿）这些关键问题都集成在芯片里，外围极简，保护齐全。想做 48W~100W 级别的高效率充电器/适配器，这是一个值得考虑的国产方案。如需选购欢迎咨询店铺客服：https://detail.1688.com/offer/1090111317890.html?spm=a28888.manage-offer.0.0.26227197HN3tzF