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辉芒微电子（Fremont Micro Devices）推出的高集成度非隔离反激电源控制器，采用SOP8封装，适用于18W（90~264Vac）/20W（230Vac±15%）的PD快充适配器、电池充电器等场景。
高压启动：内置750V功率MOSFET，省去外部启动电阻
低待机功耗：＜75mW（230Vac典型值），满足六级能效
多重保护：VCC过压/欠压、输出短路、过温保护（OTP）
EMI优化：内置抖频技术，降低传导干扰
FT8493HA采用SOP8封装，各管脚功能如下表所示：
| 管脚号 | 名称 | 功能描述 |
|---|---|---|
| 1 | GND | 芯片地，需与功率地单点连接，PCB布局时走线宽度≥0.3mm（1oz铜厚） |
| 2 | VCC | 芯片供电引脚，外接VCC电容（推荐4.7~10μF/25V），电容正极需靠近芯片引脚 |
| 3 | COMP | 反馈输入端，连接光耦反馈信号，实现输出电压调节（典型分压电阻网络：TL431+光耦） |
| 4 | TEST | 测试脚，应用时必须悬空，禁止连接任何电路 |
| 5~8 | SW | 内置高压功率MOSFET的漏极，直接连接变压器初级绕组，PCB走线需短且粗（≥1mm） |
关键设计提示：
VCC电容负极需直接连接到输入大电容负极，避免噪声干扰。
SW引脚走线需远离敏感信号（如COMP），减少高频辐射。
（注：实际设计需参考辉芒官方原理图，此处为简化示意）
电路组成：
输入整流：MB6S整流桥+保险丝（F1）组成高压输入级
变压器设计：EE13磁芯，初级电感量Lp=1.2mH（需根据实际功率调整）
输出整流：肖特基二极管（如SB5100）+输出电容（470μF/16V）
反馈网络：TL431+PC817光耦，通过COMP引脚调节输出电压
VCC电容选择：
典型值：4.7μF（耐压≥25V），确保启动时间＜100ms。
变压器匝比：
例如：90Vac输入，12V输出，肖特基压降0.5V，最大占空比0.45，则匝比≈8:1。
功率路径最短化：整流桥→变压器→SW引脚→输入电容回路面积最小化
地线分离：功率地（PGND）与信号地（SGND）单点连接，避免噪声耦合
散热设计：SW引脚大面积覆铜，增强MOSFET散热能力
RCD吸收电路：在变压器初级并联RCD网络（如100Ω/1W+1nF/1kV），抑制电压尖峰
Y电容：初次级间跨接1nF/400V Y电容，降低共模干扰
磁珠滤波：VCC引脚串联100Ω磁珠，抑制高频噪声
| 测试项目 | 条件 | 结果 | 标准 |
|---|---|---|---|
| 待机功耗 | 230Vac空载 | 68mW | ＜75mW |
| 输出电压精度 | 90~264Vac满载 | 12.05V±2% | ±5% |
| 短路保护 | 输出短路 | 自动重启 | 通过 |
| 过温保护 | 85℃环境温度 | 触发OTP | 通过 |
| 浪涌抗扰度 | 1.5kV差模 | 无损坏 | IEC61000-4-5 |
FT8493HA凭借其高集成度、低待机功耗、强保护功能，成为非隔离反激电源的理想选择，尤其适合：
PD快充适配器：18W~20W功率段，满足六级能效
电池充电器：手机、电动工具等12V/2A以下应用
小家电电源：如智能音箱、路由器等低功耗设备
设计建议：
非隔离方案需严格遵循安规距离（初次级≥6mm爬电距离）
变压器设计需预留10%余量，避免磁饱和导致失效
（完整技术资料请联系深圳三佛科技获取）