先把问题拆清楚——“读取”到底读什么？

在单片机语境里，“读取”通常有三层含义：

    调试/生产阶段的“正常读取”

    通过官方调试口（ICSP 或 FMD-Link）把 Flash/EEPROM 里的程序或数据回读到 PC，用来做量产校验或在线升级。

    逆向/破解场景下的“非侵入式读取”

    不破坏封装、不磨盖，用第三方编程器或自制硬件直接 dump 整个程序区。

    物理级别的“侵入式读取”

    拆封装、探针扎线，甚至 FIB 改线，把存储阵列的电荷状态读出来。

下文把三种场景一次说明白，并给出可行性与风险对照表。

官方通道：100 % 可读，但有前提

    工具链

    • FMD-Link（或兼容的 FMD-ICE）+ FMD IDE
    • FlashPro 下载器（支持批量校验回读）

    可读取内容

    • 程序 Flash（PROM 区）
    • 数据 EEPROM
    • SRAM（在线调试时可实时查看）

    限制条件

    • 读功能受“Code Protect”熔丝位控制。出厂默认关闭保护，用户可在烧录时勾选“Enable Code Protect”。

• 一旦开启保护，官方工具也读不回程序区，只能全片擦除后重新烧录。
• 部分 Touch MCU（FT62F0Gx 等）在开启“Boot + IAP”模式后，Boot 区仍可读，应用区被保护。

结论：只要没开保护，开发者随时可读；开了保护，官方也束手无策。

非官方通道：难度与风险随型号差异巨大

    8-bit OTP/EPROM 老型号（FT60F0xx 早期批次）

    • 采用单层金属、0.35 µm OTP 工艺，显微镜下即可看清位线。
    • 市面上有“一拖八”编程器声称可直读，但只要 Code Protect 熔丝烧断，数据线即被永久隔离，只能读到 0x3FFF（全 1）。
    → 保护位一烧，直读成功率 ≈ 0。

    8-bit MTP/Flash 新型号（FT60F211、FT62F0xx 后期批次）

    • 采用 0.15 µm MTP + 金属 3 层工艺，位线埋在金属 2 以下，非侵入式光学手段基本失效。
    • 公开资料未发现第三方量产级漏洞；网上流传的“FMD 旁路攻击脚本”属于实验性质，需要 glitch 电源与精确时序，普通玩家不具备可复制性。

    32-bit ARM 内核系列（FT32F0xx）

    • 内建 SWD 口，默认开启 RDP Level 1（相当于 ST 的 Level 1）。
    • 目前 RDP Level 2 尚未发现量产芯片启用，因此可通过“SWD + 擦除解锁”方式 dump SRAM，但 Flash 仍受保护。
    → 这类芯片的逆向难度与 STM32F0 系列持平。

侵入式读取：理论上可行，成本极高

• 需要 FIB 打开顶层金属 + 激光切割保护熔丝 + 探针台读 bitline，单次开销 > 5000 美元。

• 对 8-bit 小容量 MCU 来说，ROI 极低；只有大批量克隆时才可能采用，而辉芒微的单价普遍 < 0.3 USD，基本无利可图。

一张表看清“能不能读”

开发者实用建议

    量产前一定确认 Code Protect 状态：FMD IDE → Configure → Security → 勾选“Enable”即可彻底锁死。

    如果必须保留现场升级通道，可保留 Boot 区可读，应用区加密；使用官方 IAP Demo 做双区备份。

    对于高价值算法（如电机控制 PI 参数、加密密钥），可放入 EEPROM 并启用 EEPROM 读保护位（EERE），防止官方工具回读。

    不要轻信“万能编程器”广告：辉芒微在 2023 年后已全面启用新型 MTP + 熔丝保护，公开渠道尚无可靠绕过方案。

三佛科技提供样品，技术支持，可烧录~

一句话总结

辉芒微 MCU 在设计之初就兼顾了“易开发”与“难破解”：
• 开发者手里，它是透明的；
• 逆向者手里，它是磨砂的；
• 只有在你主动把灯关掉（烧断保护位）后，它才真正变成“黑盒”。