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随着科技的进步，5 W市场看似“过气”，但IoT、小家电、蓝牙网关、智能门锁却提出“三低”刚需：
成本低——BOM<1.2元；
高度低——塞进门锁壳≤18 mm；
待机低——零负载<75 mW，欧盟CoC Tier2随手过。
深圳三佛科技供应的LP3667BH（内置730 V MOS，自供电，SOP-7）+ 二次侧3P45（45 V/3 A肖特基）给出“教科书”级回答：官方Demo 26.4 mm×35.4 mm×16 mm，自然冷却，90-264 VAC全电压，5 V/1 A，平均效率>75 %，CISPR22/EN55022 Class B余量>8 dB，全部公开，今天一文打尽。
全集成：MOS+启动+采样+OTP，仅需14颗贴片料；
自供电：取消辅助绕组，变压器脚位直接省2 Pin；
谷底导通+频率折返，230 VAC空载75 mW，10 %负载效率仍>63 %；
内置斜率补偿，CC模式1.25 A，线补0 mV/mA，手机充电不弹窗；
OCP、OLP、OTP、OVP四重保护，短路打嗝自恢复，UL1950 Class II过认证；
EF12L磁芯，高度11 mm，比EE10还矮，却做到5 W；
官方承诺：±5 % Vout，-40 ℃~85 ℃工业级，批量ppm<300。
输入弹片→DB1→EC1/2一字排开，高压环路面积<0.8 cm²；
芯片居中，Drain铜皮>150 mm²，反面过孔阵列散热；
USB口下沉0.5 mm，做18 mm超薄壳刚好平齐。
次级地铜皮“回”字形包围USB，降低共模；
FB走线远离Drain，0.3 mm宽，4 mil间距，误差<±1 %；
高压与次级开槽0.4 mm，满足2 kV爬电。
快速检测
漏感：短接N3，6-7脚读<70 µH；
层间：3750 V/3 s，<1 mA；
外观：套管全覆盖，无铜线裸露。
| Vin | Io | Vout | Pin | η | Vripple | OCP |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 90 V | 1 A | 5.32 V | 7.13 W | 74.6 % | 62 mV | 1.2 A |
| 115 V | 1 A | 5.34 V | 6.99 W | 76.3 % | 58 mV | 1.1 A |
| 230 V | 1 A | 5.36 V | 6.95 W | 77.1 % | 53 mV | 1.2 A |
| 264 V | 1 A | 5.35 V | 6.98 W | 76.6 % | 53 mV | 1.2 A |
| 230 V | 0 A | 5.00 V | 0.075 W | — | 40 mV | — |
动态：10 %-90 %阶跃，ΔV=±0.3 V，恢复<200 µs；
启动：90 VAC满载，延迟0.96 s，无过冲<3 %；
辐射：30-1000 MHz QP余量>12 dB，无需共模电感；
热成像：40 ℃环温，U1表面100.6 ℃，D2 101 ℃，EF12L磁芯90 ℃，全部<110 ℃。
反射采样天然降低共模：无光耦，次级无高阻回路；
磁芯5脚接次级地，形成“法拉第屏蔽”，共模电流下降40 %；
CY1 100 pF+珠4.7 µH，在30 MHz形成>20 dB衰减；
PCB高压环路面积<0.8 cm²，差模尖峰<-10 dB。
LP3667BH把“730 V MOS+自供电+反射采样”三件套塞进SOP-7，再用EF12L矮磁芯把5 W功率密度推到15 W/in³，高度16 mm，Class B一次过，堪称5 V/1A赛道里的“隐形冠军”。深圳三佛科技提供样品，技术支持~