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KP2161SGA带高压启动的多模式7.5W恒流恒压原边控制芯片简要解析
类别:产品新闻 发布时间:2025-12-01 11:57:54 浏览人数:15709

在当今电子设备快速发展的背景下,小功率电源芯片的设计不仅要满足高效、稳定的输出需求,还要兼顾成本和空间的优化。KP2161SGA 正是为这一需求而生。作为一款带高压启动功能的多模式原边控制芯片,KP2161SGA 以其高集成度、低待机功耗和出色的恒流恒压性能,成为小功率离线式充电器和适配器的理想选择。深圳三佛科技将深入解析 KP2161SGA 的核心特点、管脚封装、典型应用电路以及参数特性,帮助工程师快速掌握其设计要点,提升开发效率。



芯片速写


项目数据
拓扑原边反馈反激(PSR)
功率7.5 W@230 VAC(6 W@85-265 VAC)
精度±4 % CV / ±4 % CC
待机<30 mW@230 VAC
启动内部 650 V 高压电流源,无需启动电阻
频率35 kHz-70 kHz 多模式 PWM/PFM
封装SOP-7(165 ℃/W)
保护UVLO/OVP/OCP/OTP/SLP/单点失效保护


管脚一眼记



关键外围:FB 分压电阻 ×2、CS 电阻 ×1、VDD 电解 ×1,没了。


典型应用:两/三绕组任挑


KP2161SGA 支持“无辅助绕组”方案,只要把 FB 分压到输出绕组平台,即可实现 5 V/1.5 A 或 9 V/0.8 A 快充。官方给出两张参考图:



  1. 3 绕组传统:辅助绕组给 VDD 供电,适合 12 V 以上输出。
  2. 2 绕组极简:输出绕组耦合取电,节省 1 个绕组+2 颗二极管,BOM 再降 ¥0.08。


参数亮点


参数典型单位意义
VDD 启动电流180µA大启动电阻也能秒启
VDD 工作电流0.2mA轻载 PFM 效率↑
电流限阈值550mVRs=1 Ω→Ipk=0.55 A
线补电流8µA长线压降自动补
过温保护150自恢复,不锁死
Rdson9Ω7.5 W 温升<50 ℃


设计锦囊


  1. 电感量:反激原边 1.2-1.8 mH,CCM/DCM 边界,效率 83 %±。
  2. FB 分压:基准 2.0 V,按 Naux/Ns 比例调,1 % 精度电阻即可。
  3. 线补:FB 上分压 200 kΩ,线补电流 8 µA,可补 200 mV,长线也稳。
  4. EMI:抖频±4 %,内置 LEB 500 ns,无需外接 RC 吸收,辐射余量 6 dB 轻松过。
  5. 单点失效:FB 上拉/下拉开路、SR 短路、绕组短路——芯片统统保护,不炸机。


结语


KP2161SGA 以其卓越的性能和高度集成的设计,为小功率电源市场提供了一种高效、简洁且可靠的解决方案。它不仅满足了现代电子设备对低功耗、高集成度和快速开发的需求,还通过减少外围元件数量,显著降低了系统成本和设计复杂性。深圳三佛科技提供技术,批量价格有优势~

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