在小功率开关电源领域,工程师们一直在寻找一种既能满足高效率、低待机功耗,又能简化设计、降低成本的解决方案。聚元微推出的 PL3395BD 副边反馈 PWM 控制芯片,凭借其高性能、低功耗和极简设计,成为了一个极具吸引力的选择。PL3395BD 不仅内置了多种高级功能,如频率抖动、斜坡补偿和绿色模式,还通过副边反馈实现了高精度的恒压恒流控制。本文将从管脚功能、内部结构、典型应用和实测数据四个方面,全面解析这颗芯片的设计亮点和实际应用价值。
管脚排列与功能(DIP-7 顶视图)

DRAIN(5/6 脚并联)- 内部 650 V 功率 MOSFET 漏极,同时兼高压自供电通道,省掉外部 22 µF/400 V 启动电容。
FB - 副边光耦直接拉低此脚即可实现恒压;当 VFB < 1.4 V 进入降频,< 1.0 V 进入 burst,空载无噪音。
CS - 外接 RCS 即可,内置 300 ns LEB,无需 RC 滤波;同时提供 100 mV 短路阈值,3 个周期即保护。
内部框图一句话导读

绿色 burst:负载减轻时先降频再打嗝,音频能量 < 20 dB
抖频:±7 % / 周期,125 Hz 步进,传导 EMI 峰值下降 3-5 dB
软启动:9 ms 阶梯抬升 VCS-max,变压器零饱和
驱动钳位:13.5 V 栅极封顶,防止 MOS 过驱
典型应用图(12 V/3 A 适配器)

BOM 增量:仅 3 颗电阻+光耦+TL431,比传统原边 SSR 方案省 6 颗器件,占板 1 cm²。
关键实测数据(demo 板 12 V/3 A,Ta=25 ℃)
| 项目 | PL3395BD | 主流 OB**** | 差异 |
|---|
| 满载效率 230 V | 87.3 % | 84.9 % | +2.4 % |
| 空载输入 230 V | 62 mW | 95 mW | -33 mW |
| 传导 EMI QP | <55 dBµV | 临界 60 dBµV | 余量 5 dB |
| 过载保护 | 3.8 A | 3.5 A | 更宽松 |
| OTP 进入 | 150 ℃ | 150 ℃ | 相同 |
| 芯片成本 | ≈0.19 $ | 0.25 $ | -24 % |
波形记录:
Vds-max 420 V@264 V 输入,漏极钳位 135 V,裕量 230 V
动态 0-3 A 阶跃,ΔVo = ±0.35 V,恢复时间 400 µs
Burst 模式:1.0 V-1.1 V 迟滞,无音频噪音
设计步骤“三件套”
定 RCS
RCS = 0.75 V / Ipk-prim;Ipk-prim = (Io × Ns/Np) / 0.8(连续模式)
选变压器
Lp 按 0.9 mH-1.2 mH 选取,Ae 约 19 mm²(EE20),ΔB = 0.25 T
辅助绕组
Na = Ns × (15 V / Vo),二极管 UF4007,VCC 电容 10 µF/25 V 陶瓷即可
常见疑问 Q&A
Q:能否直接驱动 100 W?A:芯片 36 W 上限,>3 A 请选外驱方案,PL3395BD 仅适 5-24 V/0.5-3 A。
Q:burst 模式输出纹波会不会变大?A:打嗝频率 1 kHz,输出电容 ≥ 470 µF 时,纹波 < 120 mV,远优于手机充电器标准。
Q:与 LP8778 副边控制相比如何?
A:LP8778 需外 MOS,PL3395BD 内置 650 V 管,BOM 更简,功率段互补。
PL3395BD 的出现,为小功率开关电源的设计提供了一个全新的思路。通过副边反馈和内置的多种高级功能,它不仅实现了高效率和低待机功耗,还极大地简化了外围电路设计。在实际应用中,PL3395BD 的性能表现卓越,无论是满载效率、空载功耗还是 EMI 性能,都远超传统方案。深圳三佛科技提供技术支持,批量价格有优势~