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LP8841SC是一款高频准谐振（QR）反激控制器，专为驱动碳化硅（SiC）MOSFET设计，采用SOT23-6L极小封装，适合120W以内的高密度电源方案。一句话总结：用最小的封装（SOT23-6L），做最高的频率（130kHz），驱动最先进的SiC器件。
| 特性 | 参数 | 设计价值 |
|---|---|---|
| 工作频率 | 最高130kHz | 变压器体积缩小30% |
| VCC范围 | 16V~90V超宽 | 省去辅助供电LDO，BOM简化 |
| 驱动电压 | 18V | 完美匹配SiC MOS栅压需求 |
| 抖频功能 | ±5% @ 0.25ms | EMI优化，省共模电感 |
| 工作模式 | QR→谷底→MPCM→打嗝 | 全负载范围高效率 |
| 封装 | SOT23-6L | 极小体积，适合高密度设计 |
重载（>60%） → QR模式：谷底开通，低开关损耗
中载（30-60%） → 谷底导通：自动切换谷底数（第1-6谷底）
轻载（10-30%） → MPCM模式：加大峰值电流，降频至25.5kHz
空载/待机 → 打嗝模式：间歇工作，待机功耗<0.3W| 引脚 | 名称 | 功能说明 |
|---|---|---|
| 1 | GND | 芯片地 |
| 2 | FB | 光耦反馈输入（或原边反馈） |
| 3 | ZCD | 多功能脚：退磁检测+Brown in/out+OVP/UVP保护 |
| 4 | CS | 峰值电流检测，内置220ns前沿消隐 |
| 5 | VCC | 供电脚，启动电压18.5V，欠压保护12.3V |
| 6 | DRV | 驱动输出，18V驱动电压，110ns上升时间 |
关键电路：
原边反馈简化版（省光耦+431）：
| 参数 | 典型值 | 设计注意 |
|---|---|---|
| 启动电流 | 5-12µA | 可用大阻值启动电阻，降低待机功耗 |
| 工作电流 | 2.3mA | 低静态功耗 |
| 待机电流 | 380µA | FB<0.33V时进入，满足能效标准 |
| 限流阈值 | 0.75V | CS脚检测，220ns前沿消隐防误触发 |
| 驱动上升/下降时间 | 110ns/50ns | 1nF负载，适合SiC快速开关 |
| 过温保护 | 150℃ | 内置，不可外调 |
| 软启动时间 | 6ms | 第1个脉冲到满占空比 |
| 保护类型 | 触发条件 | 恢复方式 | 用途 |
|---|---|---|---|
| VCC过压保护 | >92V，持续30µs | 锁死 | 防止VCC供电异常 |
| OPP过功率保护 | FB>3.5V，持续32ms | 自恢复 | 过载保护 |
| ZCD过压保护 | >3.3V，4个周期 | 自恢复 | 输出过压保护（原边检测） |
| ZCD欠压保护 | <0.3V，持续32ms | 自恢复 | 输出欠压/短路保护 |
| Brown in/out | 电流<110µA/130µA | 自恢复 | 电网电压异常保护 |
| CS异常过流 | >1.2V，4个周期 | 自恢复 | 次级短路/同步整流失效保护 |
| CS外置OTP | 通过NTC检测 | 自恢复 | 自定义过温点 |
| 内置OTP | 芯片>150℃ | 自恢复 | 芯片过热保护 |
锁死 vs 自恢复：
| 应用 | 功率范围 | 关键优势 |
|---|---|---|
| 大功率适配器 | 65W-120W | 高频小体积，SiC高效率 |
| LED驱动电源 | 100W以内 | 原边反馈省成本，无频闪 |
| 快充充电器 | 65W-100W | QR低EMI，易过认证 |
| 小家电电源 | 50W-120W | 宽电压输入，全球通用 |
| 工业辅助电源 | 24V/5A输出 | 高可靠性，多重保护 |
| 设计目标 | 推荐参数 |
|---|---|
| 开关频率 | 100kHz（平衡效率与体积） |
| 变压器 | PQ32/20（120W）/ PQ26/20（65W） |
| SiC MOS | 650V/100mΩ级（如SCT065R065） |
| VCC供电 | 辅助绕组整流，18-20V |
| 同步整流 | 60V耐压（12V输出）/ 100V（24V输出） |
| EMI对策 | 内置抖频+0.22µF X电容，可省共模电感 |
LP8841SC的核心竞争力在于"三高一小"：
对于追求高密度、高效率、低成本的电源设计，LP8841SC是国产芯片中极具竞争力的选择。深圳三佛科技提供技术支持，批量价格有优势~