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KP216XMSG系列芯片6W-18W高精度原边控制芯片(KP2161/2/6MSG)
类别:产品新闻 发布时间:2026-03-23 15:19:04 浏览人数:14866

KP216XMSG是必易微(Kiwi Instruments)推出的带高压启动的原边控制功率开关系列,集成650V MOSFET,采用SOP-8封装,无需启动电阻和光耦,专为6W-18W小功率离线式充电器设计。系列包含三款型号,覆盖不同功率等级:


型号 230VAC功率 85-265VAC功率 内置MOSFET 导通电阻
KP2161MSG7.5W6W650V/1A10-12Ω
KP2162MSG12W10W650V/2A4.4-5Ω
KP2166MSG-18W650V/4A1.2-1.4Ω
选型提示:KP2166MSG在230V输入下功率受限(结温考虑),适合宽电压输入场景;KP2162MSG是10W级性价比之选。

核心特点


1. 高压启动,极简外围


  • 无需启动电阻:内部高压启动模块直接为VDD充电至8V,省去2-3颗外围元件
  • 支持两绕组变压器:可省略辅助绕组,进一步降低成本(见图1右)
  • 待机功耗<50mW:满足六级能效标准


2. 高精度控制


  • ±4%恒压/恒流精度:原边反馈(PSR)架构,省去光耦和TL431
  • 多模式控制:调幅(AM)+调频(FM)结合,全负载范围高效率
  • 无异音工作:避免变压器共振噪声


3. 完善保护功能


  • 短路保护(SLP):FB<0.7V持续40ms触发
  • 过压保护(OVP):FB>2.4V持续3周期触发
  • 过温保护(OTP):155°C关断,125°C恢复
  • 逐周期限流(OCP):CS阈值550mV
  • VDD过欠压保护:UVLO 7.6V,OVP 28.4V


管脚封装与功能


SOP-8封装,引脚定义如下:

引脚名称类型功能描述
1VDD电源芯片供电,范围9-25V
2GND芯片地
3FB反馈辅助绕组电压分压输入,用于CV/CC控制
4CS输入电流采样,连接MOSFET源极与GND间电阻
5-8Drain功率内置MOSFET漏极,接变压器原边

封装尺寸:4.7×5.8mm,标准SOP-8引脚间距1.27mm


典型应用电路



内部功能框图解析


KP216XMSG内部集成以下核心模块:


工作原理:


  • 启动阶段:高压启动模块为VDD充电至8V,芯片开始工作
  • 恒压模式:FB采样辅助绕组电压,与2V基准比较,调节PWM占空比
  • 恒流模式:当负载加重至CV/CC拐点,芯片固定Tdem/Tsw=0.5 ,通过调频实现恒流
  • 线损补偿:负载越重,FB流出电流越大,补偿线缆压降


参数特性曲线(温度特性)


KP216XMSG的关键参数随温度变化特性:


参数温度特性设计建议
VDD_ON-40℃~120℃几乎恒定(7.9V→7.8V)启动特性稳定
VFB_REF25℃达峰值2.0V,高低温略降精度±1.5%以内
VCS(max)常温稳定,>80℃开始下降高温时恒流点略降
Icable_max随温度升高而增大(6.4→8.2µA)高温补偿增强
Toff_max25-60℃最低(4.3ms),高低温升高频率折返特性



设计要点


1. 变压器设计


  • 感量选择:根据功率和频率计算,确保DCM工作
  • 匝比计算N=Np/Ns ,影响恒流公式中的系数
  • 漏感控制:漏感过大会导致FB采样误差,建议<5%


2. 恒流点设置


RCS=ICC(mA)14×N×550mV
例如:5V/2A输出,匝比N=10,则:
RCS=200014×10×0.550.385Ω0.4Ω


3. 线损补偿调节


最大补偿电压比例:
VoutΔVcableIcable_max2V×(R1//R2)×100%
例如R1=3kΩ,R2=18kΩ:
VoutΔV7.8μA×2.57kΩ2V

×100%1%


典型应用场景


  • 手机充电器:5V/2A(10W)、5V/2.4A(12W)
  • 小家电电源:智能插座、LED驱动、蓝牙音箱
  • 工业辅助电源:PLC、传感器、通信模块
  • 替代RCC方案:稳定性更好,元件更少


总结


KP216XMSG系列以"三省一高"(省启动电阻、省光耦、省辅助绕组、高精度)为核心卖点,是6W-18W小功率电源的理想选择:

优势说明
极简BOM两绕组方案仅需15颗左右元件
易设计原边反馈,无需环路补偿调试
高可靠内置7重保护,满足安规要求
低成本比传统光耦方案节省20%以上成本
对于追求性价比、快速量产、小体积的充电器设计,KP2162MSG(10W)和KP2166MSG(18W)是当前市场上极具竞争力的原边控制方案。
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