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LP8842-Demo1是一款面向65W PD快充市场的氮化镓电源解决方案，采用LP8842主控芯片搭配LP35118V同步整流芯片的双芯片架构。该方案主打"双面板"设计——即采用FR-4双面板工艺，在保证性能的同时有效降低PCB制造成本，适合大规模量产。
输入电压：90-264Vac全电压范围
输出规格：5V/3A、9V/3A、12V/3A、15V/3A、20V/3.25A（65W Max）
拓扑结构：QR（准谐振）反激+氮化镓功率器件
协议支持：PD3.0（HUSB350协议芯片）
| 位号 | 型号 | 功能说明 |
|---|---|---|
| U2 | LP8842 | PWM主控芯片，SOIC-9封装，集成高压启动、X电容放电 |
| U3 | LP35118V | 同步整流控制器，SOT-6封装 |
| Q3 | XG65T125HS2A | 氮化镓功率管，650V/120mΩ，DFN8×8封装 |
| Q2 | HGN093N12SL | 同步整流MOS，120V/9.3mΩ |
LP8842作为芯茂微的QR控制器，支持谷底锁定技术，搭配氮化镓器件可实现高频化设计（实测工作频率约55-107kHz），从而缩小磁性元件体积。
变压器采用ATQ2516磁芯（Ae=117.7mm²），绕组结构采用三明治绕法：
| 绕组 | 线径 | 圈数 | 绕法 |
|---|---|---|---|
| N1（初级） | 2UEW-F Φ0.1×15P | 13Ts | 顺绕 |
| N2（屏蔽） | T1W-B Φ0.13×3P | 14Ts | 顺绕 |
| N3（初级） | T1W-B Φ0.13×2P | 14Ts | 顺绕 |
| N4（屏蔽） | T1W-B Φ0.1×120P | 4Ts | 反绕 |
| N5（屏蔽） | T1W-B Φ0.13×3P | 5Ts | 顺绕 |
| N6（次级） | 2UEW-F Φ0.1×15P | 13Ts | 顺绕 |
主板尺寸：50.5×48.1×1.2mm（FR-4 1OZ双面板）
模块化设计：主功率板+Type-C协议小板+EMC滤波小板
散热处理：Q3 GaN器件配铜质散热片，底部填充导热硅胶
| 输入电压 | 20V/3.25A满载效率 | 功率因数 |
|---|---|---|
| 90Vac | 91.0% | 0.631 |
| 110Vac | 92.38% | 0.673 |
| 220Vac | 93.11% | 0.544 |
| 264Vac | 92.81% | 0.512 |
平均能效测试（115Vac/230Vac，20V输出，100%/75%/50%/25%负载）：
115Vac平均效率：91.9%（超CoC Tier2的88.19%限值）
230Vac平均效率：91.725%
待机功耗：264Vac输入时约50mW，满足75mW以下要求。
| 输出电压 | 满载纹波（典型值） | 限值 |
|---|---|---|
| 5V | 76-88mV | ≤150mV |
| 9V | 72-84mV | ≤150mV |
| 12V | 67-89mV | ≤150mV |
| 15V | 67-115mV | ≤300mV |
| 20V | 67-208mV | ≤300mV |
高温（40℃）低压输入时纹波略有增大，但仍远优于限值要求。
10%-90%负载跳变（2.5ms周期）测试：
5V输出：最大过冲940mV（限值1000mV）
20V输出：最大过冲1190mV（限值1200mV）
动态响应偏保守，留有充足裕量。
传导发射（CE）
通过EN55032 Class B标准，测试覆盖5V/9V/12V/15V/20V全电压档位，115Vac/230Vac双输入条件。典型余量：
准峰值（QP）：3.6-8.5dB
平均值（AV）：3.1-12.9dB
辐射发射（RE）
30MHz-1GHz频段，垂直/水平极化均满足Class B限值，最高频点约800MHz处有接近限值的尖峰，建议实际量产时优化屏蔽。
| 优势 | 说明 |
|---|---|
| 双面板工艺 | 相比多层板成本降低30%以上，适合价格敏感市场 |
| 高集成度 | LP8842内置高压启动、X电容放电，外围精简 |
| 高效氮化镓 | 满载效率超93%，满足最新能效标准 |
| 全协议覆盖 | HUSB350支持PD3.0/PPS，兼容主流设备 |
| 完善保护 | OVP/OCP/SCP/OTP全覆盖，短路功耗<0.5W |
待优化点：
变压器温升在90Vac满载时接近临界（建议优化绕组工艺或加强散热）
外壳温度需关注，建议增加导热路径设计
结语： 芯茂微LP8842+LP35118V方案以"双面板+氮化镓"的组合，在65W功率段实现了性能与成本的平衡。93%以上的峰值效率、完善的保护机制以及通过的EMC认证，使其成为当前快充市场颇具竞争力的参考设计。